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NM93C56MT8

产品描述EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
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文件大小101KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NM93C56MT8概述

EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8

NM93C56MT8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOIC
包装说明TSSOP, TSSOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性40 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度4.4 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE

NM93C56MT8相似产品对比

NM93C56MT8 NM93C56M8 NM93C66EM8 NM93C56VN NM93C56VMT8 NM93C66VN NM93C66N
描述 EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8 EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8 EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8 EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8 EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC DIP SOIC DIP DIP
包装说明 TSSOP, TSSOP8,.25 SOP, SOP8,.25 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8 DIP, DIP8,.3 TSSOP, TSSOP8,.25 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3
针数 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 40 YEAR DATA RETENTION 40 YEAR DATA RETENTION 40 YEAR DATA RETENTION 40 YEAR DATA RETENTION 40 YEAR DATA RETENTION 40 YEAR DATA RETENTION 40 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8
长度 4.4 mm 4.9 mm 4.9 mm 9.817 mm 4.4 mm 9.817 mm 9.817 mm
内存密度 2048 bit 2048 bit 4096 bit 2048 bit 2048 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8
字数 128 words 128 words 256 words 128 words 128 words 256 words 256 words
字数代码 128 128 256 128 128 256 256
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 125 °C 125 °C 125 °C 70 °C
最低工作温度 - - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -
组织 128X16 128X16 256X16 128X16 128X16 256X16 256X16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP SOP SOP DIP TSSOP DIP DIP
封装等效代码 TSSOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25 DIP8,.3 TSSOP8,.25 DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH IN-LINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.75 mm 1.75 mm 5.08 mm 1.2 mm 5.08 mm 5.08 mm
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 0.65 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 3 mm 3.9 mm 3.9 mm 7.62 mm 3 mm 7.62 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - e0
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
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