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8440259AK-05T

产品描述Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-220, VFQFN-32
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小420KB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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8440259AK-05T概述

Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-220, VFQFN-32

8440259AK-05T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFN
包装说明VQCCN,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
JESD-30 代码S-XQCC-N32
JESD-609代码e0
长度5 mm
端子数量32
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VQCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)225
主时钟/晶体标称频率25 MHz
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压3.465 V
最小供电电压3.135 V
标称供电电压3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型CLOCK GENERATOR, OTHER

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PRELIMINARY
FEMTOCLOCK™ CRYSTAL/LVCMOS-TO-
LVDS/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER
ICS8440259-05
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
The ICS8440259-05 is a 9 output synthesizer
optimized to generate Gigabit and 10 Gigabit Ether-
HiPerClockS™
net clocks and is a member of the HiPerClockS™
family of high performance clock solutions from IDT.
Using a 25MHz, 18pF parallel resonant crystal, the
device will generate 125MHz and 3.90625MHz clocks with mix-
ed LVDS and LVCMOS/LVTTL output levels. The ICS8440259-05
uses IDT’s 3
rd
generations low phase noise VCO technology and
can achieve <1ps typical rms phase jitter, easily meeting Ethernet
jitter requirements. The ICS8440259-05 is packaged in a small,
32-pin VFQFN package that is optimum for applications with
space limitations.
F
EATURES
Five differential LVDS outputs at 125MHz
Three LVCMOS/LVTTL single-ended outputs at 125MHz
One LVCMOS/LVTTL single-ended output at 3.90625MHz
Selectable crystal oscillator interface or LVCMOS/LVTTL
single-ended input and PLL bypass from a single select pin
VCO range: 490MHz - 680MHz
RMS phase jitter @ 125MHz, using a 25MHz crystal
(1.875MHz - 20MHz): 0.41ps (typical), LVDS output
Full 3.3V supply mode
0°C to 70°C ambient operating temperature
Available in both standard (RoHS 5) and lead-free (RoHS6)
packages
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
nPLL_BYPASS
Pullup
REF_CLK
Pulldown
25MHz
0
0
Q0
nQ0
Q1
nQ1
Q2
XTAL_IN
Phase
Detector
1
VCO
490-680MHz
÷5
1
OSC
XTAL_OUT
P
IN
A
SSIGNMENT
XTAL_OUT
REF_CLK
XTAL_IN
GND
V
DD
nc
32 31 30 29 28 27 26 25
Q4
Q0
nQ0
GND
Q1
nQ1
V
DDO
_
LVDS
Q2
nQ2
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
V
DDO
_
LVDS
GND
nQ4
GND
nQ3
V
DD
Q3
Q4
ICS8440259-05
32-Lead VFQFN
5mm x 5mm x 0.925mm
package body
K Package
Top View
The Preliminary Information presented herein represents a product in pre-production. The noted characteristics are based on initial product characterization
and/or qualification. Integrated Device Technology, Incorporated (IDT) reserves the right to change any circuitry or specifications without notice.
IDT
/ ICS
LVDS/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER
nPLL_BYPASS
÷25
V
DDA
nQ2
Q3
nQ3
24
23
22
21
20
19
18
17
Q8
V
DDO
_
LVCMOS
Q7
GND
Q6
V
DDO
_
LVCMOS
Q5
GND
Q7
Q6
Q5
nQ4
÷32
Q8
1
ICS8440259AK-05 REV. D JULY 30, 2007

8440259AK-05T相似产品对比

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描述 Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-220, VFQFN-32 Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-220, VFQFN-32 Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-220, VFQFN-32 Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-220, VFQFN-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFN QFN QFN QFN
包装说明 VQCCN, VQCCN, HVQCCN, HVQCCN,
针数 32 32 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-30 代码 S-XQCC-N32 S-XQCC-N32 S-XQCC-N32 S-XQCC-N32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 5 mm 5 mm 5 mm 5 mm
端子数量 32 32 32 32
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 VQCCN VQCCN HVQCCN HVQCCN
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
主时钟/晶体标称频率 25 MHz 25 MHz 25 MHz 25 MHz
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
最大供电电压 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
宽度 5 mm 5 mm 5 mm 5 mm
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