GM71CS16163CLT-6,GM71CS16163CLT-6 pdf中文资料,GM71CS16163CLT-6引脚图,GM71CS16163CLT-6电路-Datasheet-电子工程世界

GM71CS16163CLT-6: 产品描述EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44,; 产品类别存储存储; 文件大小724KB，共13页; 制造商LG Semicon Co Ltd

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GM71CS16163CLT-6概述

EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	44
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP44/50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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