DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, WFBGA-168
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 包装说明 | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B168 |
| 长度 | 12 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 168 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 16MX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 0.8 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 12 mm |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F | EDB5432BEBH-1DIT-F | EDB5432BEBH-1DAAT-F | EDB5432BEPA-1DIT-F | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, WFBGA-168 | DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA134, VFBGA-134 | DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA134, VFBGA-134 | DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA168, WFBGA-168 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| 包装说明 | VFBGA, | VFBGA, | VFBGA, | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B168 | R-PBGA-B134 | R-PBGA-B134 | S-PBGA-B168 |
| 长度 | 12 mm | 11.5 mm | 11.5 mm | 12 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit | 536870912 bit | 536870912 bit | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 168 | 134 | 134 | 168 |
| 字数 | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 16MX32 | 16MX32 | 16MX32 | 16MX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | VFBGA | VFBGA | VFBGA |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 0.8 mm | 1 mm | 1 mm | 0.8 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V | 1.14 V | 1.14 V | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 12 mm | 10 mm | 10 mm | 12 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
