2N3072,2N3072 pdf中文资料,2N3072引脚图,2N3072电路-Datasheet-电子工程世界

2N3072: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小94KB，共1页; 制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]

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2N3072概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39

2N3072规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
基于收集器的最大容量	10 pF
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JEDEC-95代码	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.8 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	130 MHz
最大关闭时间（toff）	100 ns
VCEsat-Max	1 V
Base Number Matches	1

2N3072相似产品对比

	2N3072	2N3073	2N2904A	2N3502	2N4030	2N3635
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	符合	符合	符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A	0.6 A	0.6 A	1 A	1 A
基于收集器的最大容量	10 pF	10 pF	8 pF	8 pF	20 pF	10 pF
集电极-发射极最大电压	60 V	60 V	60 V	45 V	60 V	140 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15	15	40	50	15	50
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	200 °C	200 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.8 W	0.36 W	0.6 W	0.7 W	0.8 W	1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	130 MHz	130 MHz	200 MHz	200 MHz	100 MHz	200 MHz
VCEsat-Max	1 V	1 V	1.6 V	1.6 V	1 V	0.5 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	-	EAR99
最大关闭时间（toff）	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	-	600 ns

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