2KX8 EEPROM 5V, 250ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | unknow |
最长访问时间 | 250 ns |
其他特性 | AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; 1MS BYTE WRITE; DATA RETENTION > 10 YEARS |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
长度 | 36.32 mm |
内存密度 | 16384 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | COMMERCIAL |
座面最大高度 | 4.83 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 1 ms |
Base Number Matches | 1 |
28C17A-25I/P | 28C17A-25/P | 28C17A-25I/L | 28C17A-15I/L | |
---|---|---|---|---|
描述 | 2KX8 EEPROM 5V, 250ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 2KX8 EEPROM 5V, 250ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 2KX8 EEPROM 5V, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | 2KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
零件包装代码 | DIP | DIP | QFJ | QFJ |
包装说明 | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | DIP, | PLASTIC, LCC-32 | PLASTIC, LCC-32 |
针数 | 28 | 28 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
最长访问时间 | 250 ns | 250 ns | 250 ns | 150 ns |
其他特性 | AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; 1MS BYTE WRITE; DATA RETENTION > 10 YEARS | AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; 1MS BYTE WRITE; DATA RETENTION > 10 YEARS | AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; 1MS BYTE WRITE; DATA RETENTION > 10 YEARS | AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; 1MS BYTE WRITE; DATA RETENTION > 10 YEARS |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 |
长度 | 36.32 mm | 36.32 mm | 13.97 mm | 13.97 mm |
内存密度 | 16384 bi | 16384 bi | 16384 bi | 16384 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 | 32 | 32 |
字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP | QCCJ | QCCJ |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
座面最大高度 | 4.83 mm | 4.83 mm | 3.56 mm | 3.56 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | QUAD |
宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 11.43 mm | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 1 ms | 1 ms | 1 ms | 1 ms |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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