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NDB7060L99Z

产品描述Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小106KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDB7060L99Z概述

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

NDB7060L99Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)550 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.013 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)225 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NDB7060L99Z相似产品对比

NDB7060L99Z NDP7060J69Z NDB7060S62Z
描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 550 mJ 550 mJ 550 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 225 A 225 A 225 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Fairchild - Fairchild
外壳连接 DRAIN - DRAIN
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