Flash, 256KX16, 120ns, WAFER-43
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SPANSION |
零件包装代码 | WAFER |
包装说明 | DIE, DIE OR CHIP |
针数 | 43 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 120 ns |
其他特性 | BOTTOM BOOT BLOCK |
备用内存宽度 | 8 |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N43 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1,2,1,7 |
端子数量 | 43 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 256KX16 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE |
封装等效代码 | DIE OR CHIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
部门规模 | 16K,8K,32K,64K |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
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