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NE6510379A-T1-A

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, 79A, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共8页
制造商NEC(日电)
标准
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NE6510379A-T1-A概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, 79A, 4 PIN

NE6510379A-T1-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明MICROWAVE, R-CQMW-F4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压6 V
最大漏极电流 (ID)4.2 A
FET 技术HETERO-JUNCTION
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CQMW-F4
JESD-609代码e6
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

NE6510379A-T1-A相似产品对比

NE6510379A-T1-A NE6510379A-A NE6510379A-T1 NE6510379A
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, 79A, 4 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, 79A, 4 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, 79A, 4 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, 79A, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 MICROWAVE, R-CQMW-F4 79A, 4 PIN 79A, 4 PIN 79A, 4 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 6 V 6 V 6 V 6 V
最大漏极电流 (ID) 4.2 A 4.2 A 4.2 A 4.2 A
FET 技术 HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION
最高频带 L BAND L BAND L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-CQMW-F4 R-CQMW-F4 R-CQMW-F4 R-CQMW-F4
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
JESD-609代码 e6 - e0 e0
端子面层 TIN BISMUTH - TIN LEAD TIN LEAD
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