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MTH5N95

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 950V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MTH5N95概述

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 950V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC

MTH5N95规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压950 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)200 pF
JEDEC-95代码TO-218AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)17 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)700 ns
最大开启时间(吨)320 ns
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