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MMBF5461S62Z

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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MMBF5461S62Z概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET

MMBF5461S62Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)2 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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2N5460 / 5461 / 5462 / MMBF5460 / MMBF5461 / MMBF5462
2N5460
2N5461
2N5462
MMBF5460
MMBF5461
MMBF5462
G
S
G
S
TO-92
D
SOT-23
Mark: 6E / 61U / 61V
D
NOTE: Source & Drain
are interchangeable
P-Channel General Purpose Amplifier
This device is designed primarily for low level audio and general
purpose applications with high impedance signal sources. Sourced
from Process 89.
Absolute Maximum Ratings*
-
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
stg
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Parameter
Value
- 40
40
10
-55 to +150
Units
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
2N5460-5462
350
2.8
125
357
Max
*MMBF5460-5462
225
1.8
556
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2001
Fairchild Semiconductor Corporation
2N5460/5461/5462/MMBF5460/5461/5462, Rev A
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