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NP34N055ILE-AY

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小177KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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NP34N055ILE-AY概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252

NP34N055ILE-AY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)34 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)88 W
表面贴装YES

NP34N055ILE-AY相似产品对比

NP34N055ILE-AY NP34N055ILE-E2-AY
描述 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 34 A 34 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 88 W 88 W
表面贴装 YES YES

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