TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 34 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 88 W |
表面贴装 | YES |
NP34N055ILE-AY | NP34N055ILE-E2-AY | |
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描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 34 A | 34 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 88 W | 88 W |
表面贴装 | YES | YES |
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