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MMBT9012E

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MMBT9012E概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

MMBT9012E规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)78
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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UTC MMBT9012
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
1W OUTPUT AMPLIFIER OF
POTABLE RADIOS IN CLASS B
PUSH-PULL OPERATION
FEATURES
*High total power dissipation. (625mW)
*High collector current. (-500mA)
*Excellent hFE linearity
*Complementary to UTC MMBT9013
2
1
MARKING
3
12
SOT-23
1: EMITTER
2: BASE
3: COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Ta=25°C, unless otherwise specified )
PARAMETER
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Ic
Pc
T
j
T
STG
RATING
-40
-20
-5
-500
225
150
-55 ~ +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter on voltage
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
hFE1
hFE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
TEST CONDITIONS
Ic=-100µA,I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100µA, Ic=0
V
CB
=-25V,I
E
=0
V
EB
=-3V,I
C
=0
V
CE
=-1V,Ic=-50mA
V
CE
=-1V,Ic=-500mA
Ic=-500mA,I
B
=-50mA
Ic=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-1V,Ic=-10mA
MIN
-40
-20
-5
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
nA
nA
64
40
-0.6
120
90
-0.18
-0.95
-0.67
-100
-100
300
-0.6
-1.2
-0.7
V
V
V
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R206-020,A

MMBT9012E相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 78 112 64 190 96
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W 0.225 W 0.225 W 0.225 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
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