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MJ2501

产品描述Bipolar Transistors;PNP;-10A;-80V;TO-3
文件大小206KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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MJ2501概述

Bipolar Transistors;PNP;-10A;-80V;TO-3

MJ2501规格参数

参数名称属性值
厂商名称Inchange Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown

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isc
Silicon PNP Darlingtion Power Transistor
DESCRIPTION
·Built-in
Base-Emitter Shunt Resistors
·High
DC current gain-
h
FE
= 1000 (Min) @ I
C
= -5A
·Collector-Emitter
Breakdown Voltage-
V
(BR)CEO
= -80V(Min)
·Minimum
Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
MJ2501
APPLICATIONS
·Designed
for use as output devices in complementary
general purpose amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
C
=25℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
stg
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Base Current
Collector Power Dissipation@T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature
VALUE
-80
-80
-5
-10
-0.2
150
200
-55~200
UNIT
V
V
V
A
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance, Junction to Case
MAX
1.17
UNIT
℃/W
isc website
www.iscsemi.com
1
isc & iscsemi
is registered trademark

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