30V,0.3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 30V, 0.3A, 20K, - , 5V
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20000 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 125 MHz |
| 类别 | |
| 极性 | NPN |
| V(BR)CEO (V) min. | 30 |
| IC (A) | 0.3 |
| hFE min | 20K |
| Condition1_VCE (V) | 5 |
| Condition1_IC (mA) | 100 |
| VCE (sat) (V) | 1.5 |
| Condition2_IC (mA) | 100 |
| Condition2_IB (mA) | 0.1 |
| fT (MHz) min. | 125 |
| PD (W) max. | 0.3 |
| AEC Qualified | No |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 是否无铅 | Yes |
| 符合Reach | Yes |
| 符合RoHS | Yes |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Package Outlines | SOT-23 |
| MMBTA14 | MMBTA13 | |
|---|---|---|
| 描述 | 30V,0.3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 30V, 0.3A, 20K, - , 5V | 30V,0.3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 30V, 0.3A, 10K, - , 5V |
| 厂商名称 | Galaxy Microelectronics | Galaxy Microelectronics |
| 零件包装代码 | SOT-23 | SOT-23 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.3 A | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V |
| 配置 | DARLINGTON | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20000 | 10000 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 125 MHz | 125 MHz |
| 极性 | NPN | NPN |
| V(BR)CEO (V) min. | 30 | 30 |
| IC (A) | 0.3 | 0.3 |
| hFE min | 20K | 10K |
| Condition1_VCE (V) | 5 | 5 |
| Condition1_IC (mA) | 100 | 100 |
| VCE (sat) (V) | 1.5 | 1.5 |
| Condition2_IC (mA) | 100 | 100 |
| Condition2_IB (mA) | 0.1 | 0.1 |
| fT (MHz) min. | 125 | 125 |
| PD (W) max. | 0.3 | 0.3 |
| AEC Qualified | No | No |
| 是否无铅 | Yes | Yes |
| 符合Reach | Yes | Yes |
| 符合RoHS | Yes | Yes |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Package Outlines | SOT-23 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 | -55 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
