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MFE122: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-206AF, CASE 20-03, TO-72, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小221KB，共4页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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MFE122概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-206AF, CASE 20-03, TO-72, 4 PIN

MFE122规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Motorola ( NXP )
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-T4
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.03 A
最大漏极电流 (ID)	0.03 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码	TO-206AF
JESD-30 代码	O-MBCY-T4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
最小功率增益 (Gp)	17 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

MFE122相似产品对比

	MFE122	MFE120
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-206AF, CASE 20-03, TO-72, 4 PIN	VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-206AF, CASE 20-03, TO-72, 4 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-T4	CYLINDRICAL, O-MBCY-T4
Reach Compliance Code	unknown	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.03 A	0.03 A
最大漏极电流 (ID)	0.03 A	0.03 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码	TO-206AF	TO-206AF
JESD-30 代码	O-MBCY-T4	O-MBCY-T4
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	4	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W
最小功率增益 (Gp)	17 dB	17 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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