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24FC16-I/P

产品描述2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
产品类别存储    存储   
文件大小95KB,共13页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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24FC16-I/P概述

2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

24FC16-I/P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性10000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010MMMR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度10.033 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.064 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

24FC16-I/P相似产品对比

24FC16-I/P 24FC16/P 24FC16/SN 24FC16-I/SN 24FC16T-I/SN 24FC16T/SN
描述 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIP DIP SOIC SOIC SOIC SOIC
包装说明 DIP, DIP8,.3 PLASTIC, DIP-8 0.150 INCH, SOIC-8 SOP, SOP8,.25 0.150 INCH, SOIC-8 0.150 INCH, SOIC-8
针数 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 10.033 mm 10.033 mm 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
内存密度 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bi 16384 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000 2000 2000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOP SOP SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.064 mm 4.064 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C I2C
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 40 40 40
宽度 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
数据保留时间-最小值 200 200 200 200 - -
耐久性 10000000 Write/Erase Cycles 10000000 Write/Erase Cycles 10000000 Write/Erase Cycles 10000000 Write/Erase Cycles - -
I2C控制字节 1010MMMR 1010MMMR 1010MMMR 1010MMMR - -
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25 - -
电源 5 V 5 V 5 V 5 V - -
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A - -
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA - -
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE - -
湿度敏感等级 - - 1 1 1 1
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