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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 27LV256-20I/VS
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27LV256-20I/VS

产品描述32K X 8 OTPROM, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28
产品类别存储    存储   
文件大小64KB，共12页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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27LV256-20I/VS概述

32K X 8 OTPROM, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28

27LV256-20I/VS规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28
针数28
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
其他特性DATA RETENTION >200 YEARS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源3.3/5 V
编程电压13 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1

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27LV256
256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
FEATURES
• Wide voltage range 3.0V to 5.5V
• High speed performance
- 200 ns access time available at 3.0V
• CMOS Technology for low power consumption
- 8 mA Active current at 3.0V
- 20 mA Active current at 5.5V
- 100
µ
A Standby current
• Factory programming available
• Auto-insertion-compatible plastic packages
• Auto ID aids automated programming
• Separate chip enable and output enable controls
• High speed “Express” programming algorithm
• Organized 32K x 8: JEDEC standard pinouts
- 28-pin Dual-in-line package
- 32-pin PLCC package
- 28-pin SOIC package
- 28-pin VSOP package
- Tape and reel
• Data Retention > 200 years
• Available for the following temperature ranges:
- Commercial:
0˚C to +70˚C
- Industrial:
-40˚C to +85˚C
PACKAGE TYPES
PDIP
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DESCRIPTION
The Microchip Technology Inc. 27LV256 is a low volt-
age (3.0 volt) CMOS EPROM designed for battery
powered applications. The device is organized as a
32K x 8 (32K-Byte) non-volatile memory product. The
27LV256 consumes only 8 mA maximum of active cur-
rent during a 3.0 volt read operation therefore improv-
ing battery performance. This device is designed for
very low voltage applications where conventional 5.0
volt only EPROMS can not be used. Accessing individ-
ual bytes from an address transition or from power-up
(chip enable pin going low) is accomplished in less than
200 ns at 3.0V. This device allows systems designers
the ability to use low voltage non-volatile memory with
today’s' low voltage microprocessors and peripherals
in battery powered applications.
A complete family of packages is offered to provide the
most flexibility in applications. For surface mount appli-
cations, PLCC, VSOP or SOIC packaging is available.
Tape and reel packaging is also available for PLCC or
SOIC packages.
V
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O1
O0
A0
A1
A2
27LV256
©
1996 Microchip Technology Inc.
DS11020F-page 1
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描述 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 32K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 32K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 32K X 8 OTPROM, 300 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 32K X 8 OTPROM, 300 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 32K X 8 OTPROM, 300 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOIC SOIC QFJ SOIC SOIC SOIC SOIC DIP
包装说明 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 PLASTIC, LCC-32 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数 28 28 32 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code _compli _compli _compli _compli _compli _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 200 ns 200 ns 200 ns 250 ns 250 ns 300 ns 300 ns 300 ns
其他特性 DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS DATA RETENTION >200 YEARS
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PQCC-J32 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 11.8 mm 11.8 mm 13.97 mm 11.8 mm 11.8 mm 11.8 mm 11.8 mm 36.32 mm
内存密度 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 32 28 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 TSOP1 QCCJ TSOP1 TSOP1 TSOP1 TSOP1 DIP
封装等效代码 TSSOP28,.53,22 TSSOP28,.53,22 LDCC32,.5X.6 TSSOP28,.53,22 TSSOP28,.53,22 TSSOP28,.53,22 TSSOP28,.53,22 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V
编程电压 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 3.56 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 4.83 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.025 mA 0.02 mA 0.025 mA 0.02 mA 0.025 mA 0.02 mA 0.025 mA 0.02 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING J BEND GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 0.55 mm 0.55 mm 1.27 mm 0.55 mm 0.55 mm 0.55 mm 0.55 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8 mm 8 mm 11.43 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅 含铅 -

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