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BUK417-500AE

产品描述TRANSISTOR 32 A, 500 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小170KB,共5页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BUK417-500AE概述

TRANSISTOR 32 A, 500 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

BUK417-500AE规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)32 A
最大漏源导通电阻0.13 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-D4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

BUK417-500AE相似产品对比

BUK417-500AE BUK417-500BE
描述 TRANSISTOR 32 A, 500 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power TRANSISTOR 28 A, 500 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 32 A 28 A
最大漏源导通电阻 0.13 Ω 0.16 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PUFM-D4 R-PUFM-D4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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