TRANSISTOR 32 A, 500 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 32 A |
最大漏源导通电阻 | 0.13 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PUFM-D4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
BUK417-500AE | BUK417-500BE | |
---|---|---|
描述 | TRANSISTOR 32 A, 500 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | TRANSISTOR 28 A, 500 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 32 A | 28 A |
最大漏源导通电阻 | 0.13 Ω | 0.16 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PUFM-D4 | R-PUFM-D4 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | SOLDER LUG | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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