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BUX21

产品描述40A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小194KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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BUX21概述

40A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA

BUX21规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值250 W
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz
最大关闭时间(toff)2200 ns
最大开启时间(吨)1200 ns
VCEsat-Max1.5 V

BUX21相似产品对比

BUX21
描述 40A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 40 A
集电极-发射极最大电压 200 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10
JEDEC-95代码 TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 250 W
最大功率耗散 (Abs) 250 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 8 MHz
最大关闭时间(toff) 2200 ns
最大开启时间(吨) 1200 ns
VCEsat-Max 1.5 V

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