BFR101A概述

TRANSISTOR 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

BFR101A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	GATE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	0.02 A
FET 技术	JUNCTION
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	SILICON

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BFR101A相似产品对比

	BFR101A	BFR101B
描述	TRANSISTOR 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	GATE	GATE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	0.02 A	0.02 A
FET 技术	JUNCTION	JUNCTION
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1
端子数量	4	4
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
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