Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-276AB, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | TT Electronics plc |
| 包装说明 | HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-276AB |
| JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 2.5 MHz |
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