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M58BW016DT80T6FT

产品描述512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80
产品类别存储    存储   
文件大小902KB,共63页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M58BW016DT80T6FT概述

512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80

M58BW016DT80T6FT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, QFP-80
针数80
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间80 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PQFP-G80
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度32
功能数量1
部门数/规模8,31
端子数量80
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP80,.7X.9,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.4 mm
部门规模2K,16K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度14 mm

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M58BW016BT, M58BW016BB
M58BW016DT, M58BW016DB
16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst)
3V Supply Flash Memories
FEATURES SUMMARY
s
SUPPLY VOLTAGE
– V
DD
= 2.7V to 3.6V for Program, Erase and
Read
– V
DDQ
= V
DDQIN
= 2.4V to 3.6V for I/O Buffers
– V
PP
= 12V for fast Program (optional)
s
Figure 1. Packages
HIGH PERFORMANCE
– Access Time: 80, 90 and 100ns
– 56MHz Effective Zero Wait-State Burst Read
– Synchronous Burst Reads
– Asynchronous Page Reads
PQFP80 (T)
s
HARDWARE BLOCK PROTECTION
– WP pin Lock Program and Erase
BGA
s
SOFTWARE BLOCK PROTECTION
– Tuning Protection to Lock Program and
Erase with 64 bit User Programmable Pass-
word (M58BW016B version only)
LBGA80 (ZA)
10 x 8 ball array
s
OPTIMIZED for FDI DRIVERS
– Fast Program / Erase suspend latency
time < 6µs
– Common Flash Interface
s
MEMORY BLOCKS
– 8 Parameters Blocks (Top or Bottom)
– 31 Main Blocks
s
LOW POWER CONSUMPTION
– 5µA Typical Deep Power Down
– 60µA Typical Standby
– Automatic Standby after Asynchronous Read
s
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code M58BW016xT: 8836h
– Bottom Device Code M58BW016xB: 8835h
October 2003
1/63

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