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S-LM1MA141WKT3G

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小214KB,共4页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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S-LM1MA141WKT3G概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN

S-LM1MA141WKT3G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.15 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向恢复时间0.003 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Common Cathode Silicon
Dual Switching Diode
This Common Cathode Silicon Epitaxial Planar Dual Diode is designed for
use in ultra high speed switching applications. This device is housed in the
SC-70 package which is designed for low power surface mount applications.
• Fast t
rr
, < 3.0 ns
• Low C
D
, < 2.0 pF
We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements.
LM1MA141WKT1G
S-LM1MA141WKT1G
LM1MA142WKT1G
S-LM1MA142WKT1G
SC–70/SOT–323 PACKAGE
COMMON CATHODE
DUAL SWITCHING DIODE
40/80 V–100 mA
SURFACE MOUNT
3
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C)
Rating
Symbol
Reverse Voltage
LM1MA141WKT1G V
R
LM1MA142WKT1G
Peak Reverse Voltage
LM1MA141WKT1G V
RM
Forward Current
Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
LM1MA142WKT1 G
Single
Dual
Single
Dual
Single
Dual
I
F
I
FM
I
FSM(1)
Value
40
80
40
80
100
150
225
340
500
750
Unit
V
dc
V
dc
1
2
SC – 70
mAdc
CATHODE
3
mAdc
mAdc
1
ANODE
2
Marking Symbol
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
D
T
J
T
stg
Max
150
150
–55 ~ +150
Unit
mW
°C
°C
Type No.141WK142WK
Symbol
MT
MU
MT
X
The “X” represents a smaller alpha digit Date
Code. The Date Code indicates the actual month
in which the part was manufactured.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C)
Characteristic
Symbol
Reverse Voltage Leakage Current LM1MA141WKT1 G I
R
LM1MA142WKT1G
Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Diode Capacitance
Reverse Recovery
1. t = 1 SEC
2. t
rr
Test Circuit
V
F
LM1MA141WKT1G V
R
LM1MA142WKT1G
Time
C
D
t
rr(2)
Condition
V
R
= 35 V
V
R
= 75 V
I
F
= 100 mA
I
R
= 100
µA
V
R
=0, f=1.0 MHz
I
F
=10mA,V
R
=6.0V
R
L
=100Ω,I
rr
=0.1 I
R
Min
40
80
Max
0.1
0.1
1.2
2.0
3.0
Unit
µAdc
Vdc
Vdc
pF
ns
Rev.O 1/4

S-LM1MA141WKT3G相似产品对比

S-LM1MA141WKT3G S-LM1MA142WKT3G S-LM1MA142WKT1G S-LM1MA141WKT1G
描述 Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SC-70, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 LRC LRC LRC LRC
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
元件数量 2 2 2 2
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.15 W 0.15 W 0.15 W 0.15 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 40 V 80 V 80 V 40 V
最大反向恢复时间 0.003 µs 0.003 µs 0.003 µs 0.003 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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