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P4C1024L-120C6MB

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
产品类别存储    存储   
文件大小923KB,共14页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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P4C1024L-120C6MB概述

Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

P4C1024L-120C6MB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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