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MMBZ5258B

产品描述Zener Diode, 36V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小614KB,共5页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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MMBZ5258B概述

Zener Diode, 36V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC PACKAGE-3

MMBZ5258B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.41 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压36 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流3.4 mA

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MMBZ5221B-MMBZ5259B
Technical Data
Data Sheet N0204, Rev. B
MMBZ5221B-MMBZ5259B
ZENER DIODES
Features
Planar Die Construction
410mW Power Dissipation
General Purpose, Medium Current
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
SOT-23
Schematic & Pin Configuration
Mechanical Characteristics
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Plated leads Solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Mounting Position: Any
Weight: 0.008g
Maximum Ratings
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Parameter
Power Dissipation
(Note 1)
Forward Voltage
@ I
F
= 10mA
Symbol
P
D
V
F
R
θJA
T
J
,T
STG
Value
410
1.0
357
-55 to 150
Units
mW
V
°C/W
°C
Typical Thermal resistance junction to Ambient Air
(Note 1)
Operating Junction and Storage
Temperature Range
Notes: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2. Tested with pulses, Tp≤1.0ms.
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com
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