IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 65536 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 13 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| 27C64Q200/883 | 27C64E200/883 | 27C64E250/883 | 27C64E350/883 | 27C64Q250/883 | 27C64Q350/883 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC | 27C64E200/883 | 27C64E250/883 | 27C64E350/883 | IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC | IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 最长访问时间 | 200 ns | 200 ns | 250 ns | 350 ns | 250 ns | 350 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 | R-XQCC-N32 | R-XQCC-N32 | R-XQCC-N32 | R-XDIP-T28 | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 28 | 32 | 32 | 32 | 28 | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | QCCN | QCCN | QCCN | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 13 V | 13 V | 13 V | 13 V | 13 V | 13 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 1e-7 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | YES | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | QUAD | DUAL | DUAL |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
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