PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 80 |
| 元件数量 | 1 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
| 表面贴装 | YES |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| MUN5213T1 | MUN5211T1 | MUN5233T1 | MUN5216T1 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323 | PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323 | PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323 | PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 80 | 35 | 80 | 160 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W | 0.15 W | 0.15 W | 0.15 W |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
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