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MJ11028R1

产品描述50A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小59KB,共2页
制造商SEMELAB
标准  
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MJ11028R1概述

50A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3

MJ11028R1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMELAB
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)400
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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NPN
PNP
MJ11029
MJ11031
MJ11033
LAB
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
25.4
(1.0)
10.92
(0.430)
1.57
(0.062)
SEME
MJ11028
MJ11030
MJ11032
COMPLEMENTARY
DARLINGTON
POWER TRANSISTOR
FEATURES
30 .15
(1.187 )
1
1 6 .89
(0.665)
2
• HIGH DC CURRENT GAIN
H
FE
= 1000 Min @ I
C
= 25A
H
FE
= 400 Min
0@
I
C
= 50A
• CURVES TO 100A (Pulsed)
• DIODE PROTECTION TO RATED I
C
• MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH
BUILT-IN BASE – EMITTER SHUNT RESISTOR
4.1
(0.161
+0.4
–0
+0.016
–0
)
4.0 ± 0.1
(0.157 ± 0.004)
11.65 ± 0.35
(0.459 ± 0.014)
9.0
(0.354)
• JUNCTION TEMPERATURE TO +200°C
Tolerance ±
0.127
unless otherwise stated
(0.005)
APPLICATIONS
Case – Collector
TO–3
Pin 1 – Base
Pin 2 – Emitter
For use as output devices in complementary
general purpose amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
STG
, T
J
Collector – Emitter Voltage
Collector – Base Voltage
Emitter – Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Total Dissipation at T
case
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
MJ11028 MJ11030 MJ11032
MJ11029 MJ11031 MJ11033
60V
90V
120V
60V
90V
5V
50A
100A
2A
300W
1.71W/°C
–55 to +175°C
Prelim. 2/96
120V
Semelab plc.

MJ11028R1相似产品对比

MJ11028R1 MJ11033R1 MJ11028.MODR1 MJ11028.MOD
描述 50A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 50A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 50A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 50A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合
厂商名称 SEMELAB SEMELAB SEMELAB SEMELAB
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 50 A 50 A 50 A 50 A
集电极-发射极最大电压 60 V 120 V 60 V 60 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 400 400 400 400
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN PNP NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 e1 e1 e1 -
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER -
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