Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYS72D128521HR-8-B

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HYS72D128521HR-8-B: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共39页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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HYS72D128521HR-8-B概述

DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184

HYS72D128521HR-8-B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM,
针数	184
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	9663676416 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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D a t a S h e e t , R e v . 1 . 0 3 , J a n . 2 00 4

HYS72D32500GR–[7F/7/8]–B

HYS72D64500GR–[7F/7/8]–B

HYS72D1285[20/21]GR–[7F/7]–B

HYS72D128521GR–8–B

Registered DDR SDRAM-Modules

D D R SD R A M

M e m or y P r o du c t s

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

Edition 2004-01

Published by Infineon Technologies AG,

St.-Martin-Strasse 53,

EditionMünchen, Germany

81669 2004-01

Published by Infineon Technologies AG,

Infineon Technologies AG 2004.

St.-Martin-Strasse 53,

81669 München, Germany

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question Technologies Components may only be used in life-support devices or systems with the express written

Infineon please contact your nearest Infineon Technologies Office.

Infineon Technologies Componentsifmay only of such components can reasonably be expected to cause the

approval of Infineon Technologies, a failure be used in life-support devices or systems with the express written

approval of Infineon Technologies, if system, or to affect the safetycaneffectiveness ofexpected to cause the failure

failure of that life-support device or a failure of such components or reasonably be that device or system. Life

of that life-support device or are intended to be implanted in the human body, that device orand/or maintain and

support devices or systems system, or to affect the safety or effectiveness of or to support system. Life support

devices and/or protect human life. Ifbe implanted in the human body, or to support and/or maintain or other

sustain or systems are intended to they fail, it is reasonable to assume that the health of the user and sustain

and/or protectbe endangered. fail, it is reasonable to assume that the health of the user or other persons may

persons may human life. If they

be endangered.

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描述	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	184	184	184	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	9663676416 bit	9663676416 bit	4831838208 bit	9663676416 bit	9663676416 bit	9663676416 bit	4831838208 bit	2415919104 bi	2415919104 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
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字数	134217728 words	134217728 words	67108864 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	128000000	128000000	64000000	128000000	128000000	128000000	64000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
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封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
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表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
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端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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