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GM71VS16403CLT-7

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24,
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文件大小422KB,共10页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM71VS16403CLT-7概述

EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24,

GM71VS16403CLT-7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G24
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP24/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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