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RD60HUF1-101

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE- 2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小315KB,共8页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
标准  
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RD60HUF1-101概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE- 2

RD60HUF1-101规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层SILVER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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