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HC6856/1RQRZC

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
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文件大小743KB,共12页
制造商Honeywell
官网地址http://www.ssec.honeywell.com/
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HC6856/1RQRZC概述

Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

HC6856/1RQRZC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Honeywell
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间40 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.56 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度4.445 mm
最大待机电流0.0004 A
最小待机电流2.5 V
最大压摆率0.0075 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量200k Rad(Si) V
宽度15.24 mm
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