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GM71V64803AJ-6

产品描述EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32,
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文件大小371KB,共11页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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GM71V64803AJ-6概述

EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32,

GM71V64803AJ-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明SOJ, SOJ32,.44
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
端子数量32
字数8388608 words
字数代码8000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

 
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