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K8C1115ETM-DC1F0

产品描述Flash, 32MX16, 110ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-167
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共68页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K8C1115ETM-DC1F0概述

Flash, 32MX16, 110ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-167

K8C1115ETM-DC1F0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA167,12X15,32
针数167
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间110 ns
其他特性TOP BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B167
长度14 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模4,511
端子数量167
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA167,12X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.4 mm
部门规模16K,64K
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度10.5 mm
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