Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA90,9X15,32 |
| 针数 | 90 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 90 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 16MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 11 mm |
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