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BSM25GD120DN2E3224

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-17
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSM25GD120DN2E3224在线购买

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BSM25GD120DN2E3224概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-17

BSM25GD120DN2E3224规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ECONOPACK-17
针数17
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)35 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X17
元件数量6
端子数量17
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)450 ns
标称接通时间 (ton)140 ns
VCEsat-Max3.2 V
Base Number Matches1

 
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