16K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | DFN |
包装说明 | 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | 1000000 ERASE/WRITE CYCLES, HARDWARE WRITE PROTECT, DATA RETENTION > 200 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 6 mm |
内存密度 | 131072 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSON |
封装等效代码 | SOLCC8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 5 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 |
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