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AF4410NS: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小482KB，共5页; 制造商Integrated Circuit Systems（IDT ）

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AF4410NS概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

AF4410NS规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Integrated Circuit Systems（IDT ）
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	10 A
最大漏源导通电阻	0.0135 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	50 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

AF4410NS相似产品对比

	AF4410NS	AF4410NSA	AF4410NSL	AF4410NSLA
描述	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8
厂商名称	Integrated Circuit Systems（IDT ）	Integrated Circuit Systems（IDT ）	Integrated Circuit Systems（IDT ）	Integrated Circuit Systems（IDT ）
零件包装代码	SOT	SOT	SOT	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	10 A	10 A	10 A	10 A
最大漏源导通电阻	0.0135 Ω	0.0135 Ω	0.0135 Ω	0.0135 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
元件数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	50 A	50 A	50 A	50 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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