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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> KM44C16104CS-5
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KM44C16104CS-5

产品描述EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
产品类别存储    存储   
文件大小446KB，共21页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM44C16104CS-5概述

EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

KM44C16104CS-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP32,.46
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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KM44C16004C, KM44C16104C
CMOS DRAM
16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
DESCRIPTION
This is a family of 16,777,216 x 4 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random
access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time ( -5, or -6), package type (SOJ or TSOP-II)
are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities.
This 16Mx4 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung′s advanced CMOS process to realize high band-width, low power
consumption and high reliability.
FEATURES
• Part Identification
- KM44C16004C(5.0V, 8K Ref.)
- KM44C16104C(5.0V, 4K Ref.)
• Extended Data Out Mode operation
• CAS-before-RAS refresh capability
• RAS-only and Hidden refresh capability
• Fast parallel test mode capability
• TTL(5.0V) compatible inputs and outputs
• Early Write or output enable controlled write
• JEDEC Standard pinout
Unit : mW
• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages
• +5.0V±10% power supply
•
Active Power Dissipation
Speed
-5
-6
8K
495
440
4K
660
605
•
Refresh Cycles
Part
NO.
KM44C16004C*
KM44C16104C
Refresh
cycle
8K
4K
Refresh time
Normal
64ms
RAS
CAS
W
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Control
Clocks
Vcc
Vss
VBB Generator
Refresh Control
•
Performance Range
Speed
-5
-6
Refresh Counter
Memory Array
16,777,216 x 4
Cells
Sense Amps & I/O
* Access mode & RAS only refresh mode
: 8K cycle/64ms
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode
: 4K cycle/64ms
Refresh Timer
Row Decoder
Data in
Buffer
DQ0
to
DQ3
Data out
Buffer
OE
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
84ns
104ns
t
PC
20ns
25ns
A0~A12
(A0~A11)*1
A0~A10
(A0~A11)*1
Row Address Buffer
Col. Address Buffer
Column Decoder
Note) *1 : 4K Refresh
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
reserves the right to
change products and specifications without notice.

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描述 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ SOJ SOJ TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP32,.46 TSOP2, TSOP32,.46 SOJ, SOJ32,.44 SOJ, SOJ32,.44 SOJ, SOJ32,.44 SOJ, SOJ32,.44 TSOP2, TSOP32,.46
针数 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 50 ns 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns
其他特性 CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20.95 mm 20.95 mm 20.96 mm 20.96 mm 20.96 mm 20.96 mm 20.95 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ SOJ SOJ TSOP2
封装等效代码 TSOP32,.46 TSOP32,.46 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44 TSOP32,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 8192 4096 8192 8192 4096 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 1.2 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING J BEND J BEND J BEND J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm

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