2SK2912(S)TR,2SK2912(S)TR pdf中文资料,2SK2912(S)TR引脚图,2SK2912(S)TR电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SK2912(S)TR

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2SK2912(S)TR: 产品描述40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小101KB，共1页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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2SK2912(S)TR概述

40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

2SK2912(S)TR规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	40 A
最大漏源导通电阻	0.04 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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