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K4H510638E-TLAA0

产品描述DDR DRAM Module, 128MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED, TSOP2-66
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文件大小191KB,共22页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4H510638E-TLAA0概述

DDR DRAM Module, 128MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACKED, TSOP2-66

K4H510638E-TLAA0规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP2
包装说明ATSOP,
针数66
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ATSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.59 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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