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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71B589S10Y
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IDT71B589S10Y

产品描述Cache SRAM, 32KX9, 10.5ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
产品类别存储    存储   
文件大小273KB，共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71B589S10Y概述

Cache SRAM, 32KX9, 10.5ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32

IDT71B589S10Y规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间10.5 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
长度20.96 mm
内存密度294912 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码LCC44,.65SQ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大压摆率0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

IDT71B589S10Y相似产品对比

IDT71B589S10Y IDT71B589S10Y8 IDT71B589S12Y IDT71B589S12Y8 IDT71B589S14Y IDT71B589S14Y8
描述 Cache SRAM, 32KX9, 10.5ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 Cache SRAM, 32KX9, 10.5ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 Cache SRAM, 32KX9, 12ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 Cache SRAM, 32KX9, 12ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 Cache SRAM, 32KX9, 14ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 Cache SRAM, 32KX9, 14ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 SOJ, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 SOJ, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 SOJ,
针数 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant unknown not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 10.5 ns 10.5 ns 12 ns 12 ns 14 ns 14 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20.96 mm 20.96 mm 20.96 mm 20.96 mm 20.96 mm 20.96 mm
内存密度 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 9 9 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX9 32KX9 32KX9 32KX9 32KX9 32KX9
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

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