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2SK2684S

产品描述30A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小84KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SK2684S概述

30A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

2SK2684S规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明LDPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间20
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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