Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HB56G25632SB-8C

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HB56G25632SB-8C: 产品描述Fast Page DRAM Module, 256KX32, 80ns, MOS, SIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小68KB，共7页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56G25632SB-8C概述

Fast Page DRAM Module, 256KX32, 80ns, MOS, SIMM-72

HB56G25632SB-8C规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SSIM72
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	20.32 mm
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE

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HB56G25632 Series

262,144-word

32-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-

Rev. 0.0

Dec. 1, 1995

Description

The HB56G25632B/SB is a 256 k

32 dynamic RAM module, mounted 2 pieces of 4-Mbit DRAM

(HM514260CJ/CLJ) sealed in SOJ package. An outline of the HB56G25632B/SB is 72-pin single in-line

package. Therefore, the HB56G25632B/SB makes high density mounting possible without surface mount

technology. The HB56G25632B/SB provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are

mounted beside each SOJ.

Features

•

72-pin single in-line package

– Lead pitch: 1.27 mm

Single 5 V (± 5%) supply

High speed

– Access time: 70 ns/80 ns (max)

Low power dissipation

– Active mode: 1.5 W/1.4 W (max)

– Standby mode: 21 mW (max)

2.1 mW (max) (L-version)

Fast page mode capability

512 refresh cycle: 8 ms

128 ms (L-version)

2 variations of refresh

–

RAS-only

refresh

–

CAS-before-RAS

refresh

TTL compatible

•

HB56G25632SB-8C相似产品对比

	HB56G25632SB-8C	P-2208D2803AGTF	HB56G25632SB-7CL	HB56G25632B-7CL	HB56G25632SB-8CL	HB56G25632B-8CL	HB56G25632B-7C	HB56G25632B-8C
描述	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 80ns, MOS, SIMM-72	Fixed Resistor, Thin Film, 0.8W, 280000ohm, 150V, 0.05% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 2208, CHIP	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 70ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 70ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 80ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 80ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 70ns, MOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 256KX32, 80ns, MOS, SIMM-72
包装说明	SIMM, SSIM72	CHIP	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	ANTI-SULFUR, FLAME PROOF, NON-INDUCTIVE	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
端子数量	72	2	72	72	72	72	72	72
最高工作温度	70 °C	155 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	SMT	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
表面贴装	NO	YES	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	THIN FILM	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SIMM	-	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
针数	72	-	72	72	72	72	72	72
访问模式	FAST PAGE	-	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns	-	70 ns	70 ns	80 ns	80 ns	70 ns	80 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72	-	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72
内存密度	8388608 bit	-	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	-	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32	-	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	-	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	-	1	1	1	1	1	1
字数	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	-	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	256KX32	-	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32	256KX32
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM	-	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM72	-	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	-	512	512	512	512	512	512
座面最大高度	20.32 mm	-	20.32 mm	20.32 mm	20.32 mm	20.32 mm	20.32 mm	20.32 mm
最大待机电流	0.002 A	-	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.25 mA	-	0.28 mA	0.28 mA	0.25 mA	0.25 mA	0.28 mA	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	-	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	-	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

HB56G25632SB-8C

HB56G25632SB-8C概述

HB56G25632SB-8C规格参数

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