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HCTS244DMSR: 产品描述HCT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小191KB，共10页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HCTS244DMSR概述

HCT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20

HCTS244DMSR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP20,.3
针数	20
Reach Compliance Code	not_compliant
控制类型	ENABLE LOW
系列	HCT
JESD-30 代码	R-CDIP-T20
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	BUS DRIVER
最大I（ol）	0.006 A
位数	4
功能数量	2
端口数量	2
端子数量	20
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	3-STATE
输出极性	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
最大电源电流（ICC）	0.75 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup	26 ns
传播延迟（tpd）	26 ns
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
总剂量	200k Rad(Si) V
宽度	7.62 mm

HCTS244DMSR相似产品对比

	HCTS244DMSR	HCTS244KMSR	HCTS244HMSR
描述	HCT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20	HCT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20	HCT SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, UUC20
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	DIP	DFP	DIE
包装说明	DIP, DIP20,.3	DFP, FL20,.3	DIE,
针数	20	20	20
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	unknow
系列	HCT	HCT	HCT
JESD-30 代码	R-CDIP-T20	R-CDFP-F20	R-XUUC-N20
逻辑集成电路类型	BUS DRIVER	BUS DRIVER	BUS DRIVER
位数	4	4	4
功能数量	2	2	2
端口数量	2	2	2
端子数量	20	20	20
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
输出极性	TRUE	TRUE	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED
封装代码	DIP	DFP	DIE
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	UNCASED CHIP
传播延迟（tpd）	26 ns	26 ns	23 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	UPPER
总剂量	200k Rad(Si) V	200k Rad(Si) V	200k Rad(Si) V
是否Rohs认证	不符合	不符合	-
控制类型	ENABLE LOW	ENABLE LOW	-
JESD-609代码	e0	e0	-
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	-
最大I（ol）	0.006 A	0.006 A	-
最高工作温度	125 °C	125 °C	-
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-
封装等效代码	DIP20,.3	FL20,.3	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT APPLICABLE	-
电源	5 V	5 V	-
最大电源电流（ICC）	0.75 mA	0.75 mA	-
Prop。Delay @ Nom-Sup	26 ns	26 ns	-
座面最大高度	5.08 mm	2.92 mm	-
温度等级	MILITARY	MILITARY	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT APPLICABLE	-
宽度	7.62 mm	6.92 mm	-

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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