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HCS241KMSR

产品描述HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小169KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HCS241KMSR概述

HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20

HCS241KMSR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL20,.3
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
控制类型ENABLE LOW/HIGH
系列HC/UH
JESD-30 代码R-CDFP-F20
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型BUS DRIVER
位数4
功能数量2
端口数量2
端子数量20
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
最大电源电流(ICC)0.75 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup25 ns
传播延迟(tpd)25 ns
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度2.92 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量200k Rad(Si) V
宽度6.92 mm

HCS241KMSR相似产品对比

HCS241KMSR HCS241DMSR HCS241HMSR
描述 HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20 HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20 HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, UUC20
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DFP DIP DIE
包装说明 DFP, FL20,.3 DIP, DIP20,.3 DIE,
针数 20 20 20
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown
系列 HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-CDFP-F20 R-CDIP-T20 R-XUUC-N20
逻辑集成电路类型 BUS DRIVER BUS DRIVER BUS DRIVER
位数 4 4 4
功能数量 2 2 2
端口数量 2 2 2
端子数量 20 20 20
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
输出极性 TRUE TRUE TRUE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装代码 DFP DIP DIE
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE UNCASED CHIP
传播延迟(tpd) 25 ns 25 ns 21 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL UPPER
总剂量 200k Rad(Si) V 200k Rad(Si) V 200k Rad(Si) V
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
控制类型 ENABLE LOW/HIGH ENABLE LOW/HIGH -
JESD-609代码 e0 e0 -
负载电容(CL) 50 pF 50 pF -
最高工作温度 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -
封装等效代码 FL20,.3 DIP20,.3 -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V 5 V -
最大电源电流(ICC) 0.75 mA 0.75 mA -
Prop。Delay @ Nom-Sup 25 ns 25 ns -
座面最大高度 2.92 mm 5.08 mm -
温度等级 MILITARY MILITARY -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子节距 1.27 mm 2.54 mm -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
宽度 6.92 mm 7.62 mm -

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