HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DFP |
包装说明 | DFP, FL20,.3 |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
控制类型 | ENABLE LOW/HIGH |
系列 | HC/UH |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F20 |
JESD-609代码 | e0 |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
位数 | 4 |
功能数量 | 2 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 20 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE |
输出极性 | TRUE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DFP |
封装等效代码 | FL20,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
最大电源电流(ICC) | 0.75 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 25 ns |
传播延迟(tpd) | 25 ns |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 2.92 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 200k Rad(Si) V |
宽度 | 6.92 mm |
HCS241KMSR | HCS241DMSR | HCS241HMSR | |
---|---|---|---|
描述 | HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20 | HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20 | HC/UH SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, UUC20 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DFP | DIP | DIE |
包装说明 | DFP, FL20,.3 | DIP, DIP20,.3 | DIE, |
针数 | 20 | 20 | 20 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | unknown |
系列 | HC/UH | HC/UH | HC/UH |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F20 | R-CDIP-T20 | R-XUUC-N20 |
逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
位数 | 4 | 4 | 4 |
功能数量 | 2 | 2 | 2 |
端口数量 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 20 | 20 | 20 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DFP | DIP | DIE |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | IN-LINE | UNCASED CHIP |
传播延迟(tpd) | 25 ns | 25 ns | 21 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
端子形式 | FLAT | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | DUAL | UPPER |
总剂量 | 200k Rad(Si) V | 200k Rad(Si) V | 200k Rad(Si) V |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
控制类型 | ENABLE LOW/HIGH | ENABLE LOW/HIGH | - |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF | - |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - |
封装等效代码 | FL20,.3 | DIP20,.3 | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
电源 | 5 V | 5 V | - |
最大电源电流(ICC) | 0.75 mA | 0.75 mA | - |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 25 ns | 25 ns | - |
座面最大高度 | 2.92 mm | 5.08 mm | - |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | - |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
宽度 | 6.92 mm | 7.62 mm | - |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved