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HM1-65262B-9

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDIP20
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文件大小160KB,共7页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HM1-65262B-9概述

Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDIP20

HM1-65262B-9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-GDIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.116 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

HM1-65262B-9相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CQCC20 Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDIP20, DIP-20 Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 70ns, CMOS, CQCC20 Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CDIP20
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 70 ns 70 ns 85 ns 85 ns 70 ns 85 ns 70 ns 70 ns 85 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T20 R-GDIP-T20 R-GDIP-T20 R-CQCC-N20 R-GDIP-T20 R-GDIP-T20 R-GDIP-T20 R-CQCC-N20 R-GDIP-T20
内存密度 16384 bit 16384 bi 16384 bi 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20 20 20 20 20
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 85 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -40 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL PARALLEL SERIAL SERIAL SERIAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES NO NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY INDUSTRIAL MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL DUAL QUAD DUAL
厂商名称 Harris - - Harris Harris Harris Harris Harris Harris
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