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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMSDM7590BK
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CMSDM7590BK

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小603KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMSDM7590BK概述

Transistor

CMSDM7590BK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.14 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.275 W
表面贴装YES

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CMSDM3590 N-CH
CMSDM7590 P-CH
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
COMPLEMENTARY MOSFETS
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSDM3590
and CMSDM7590 are complementary N-Channel
and P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. These devices offer desirable MOSFET
electrical characteristics in an economical industry
standard SOT-323 package.
MARKING CODES: CMSDM3590: 35C
CMSDM7590: 75C
SOT-323 CASE
• Devices are
Halogen Free
by design
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Devices
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Continuous Drain Current (tp < 5s)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IGSSF, IGSSR VGS=5.0V, VDS=0V
VDS=5.0V, VGS=0V
IDSS
VDS=16V, VGS=0V
IDSS
BVDSS
VGS(th)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
ton
toff
VGS=0V, ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=4.5V, ID=100mA
VGS=2.5V, ID=50mA
VGS=1.8V, ID=20mA
VGS=1.5V, ID=10mA
VGS=1.2V, ID=1.0mA
VDS=5.0V, ID=125mA
VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz
VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz
VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=200mA
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=200mA
FEATURES:
• ESD Protection up to 2kV
• Power Dissipation: 275mW
• Low Threshold Voltage
• Logic Level Compatibility
• Small SOT-323 Surface Mount Package
SYMBOL
VDS
VGS
ID
ID
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMSDM3590
20
8.0
160
200
275
-65 to +150
455
CMSDM7590
MIN TYP MAX
-
-
100
-
-
20
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
5.5
8.0
11
20
1.3
1.0
12
2.7
60
210
50
100
-
1.0
5.0
7.0
10
17
-
-
-
-
-
-
-
140
180
CMSDM7590
UNITS
V
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
CMSDM3590
MIN TYP MAX
-
-
100
-
-
20
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
2.0
3.0
4.0
7.0
1.3
2.2
9.0
3.0
40
150
50
100
-
1.0
3.0
4.0
6.0
10
-
-
-
-
-
-
-
UNITS
nA
nA
nA
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
R0 (19-May 2009)

CMSDM7590BK相似产品对比

CMSDM7590BK CMSDM3590 CMSDM3590TRLEADFREE CMSDM3590BKLEADFREE CMSDM3590TR CMSDM7590TR CMSDM7590
描述 Transistor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SUPERMINI-3 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Transistor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SUPERMINI-3
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant unknown unknown compliant
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single Single Single Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
是否Rohs认证 不符合 - 符合 符合 不符合 不符合 -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.14 A - 0.16 A 0.16 A 0.16 A 0.14 A -
最大功率耗散 (Abs) 0.275 W - 0.275 W 0.275 W 0.275 W 0.275 W -
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -

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