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HM1-6514S/883

产品描述Standard SRAM, 1KX4, 120ns, CMOS, CDIP18
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文件大小183KB,共9页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HM1-6514S/883概述

Standard SRAM, 1KX4, 120ns, CMOS, CDIP18

HM1-6514S/883规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间120 ns
其他特性ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.000025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.014 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

HM1-6514S/883相似产品对比

HM1-6514S/883 HM1-6514B/883
描述 Standard SRAM, 1KX4, 120ns, CMOS, CDIP18 Standard SRAM, 1KX4, 220ns, CMOS, CDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
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